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無源集成元器件關(guān)鍵技術(shù)研究取得成效
無源電子元件是一大類重要的電子信息產(chǎn)品。無源元件與有源器件（集成電路等半導(dǎo)體產(chǎn)品）共同構(gòu)成電路的核心部分，是各類電子信息產(chǎn)品的基礎(chǔ)。在新型電子產(chǎn)品中，集成電路和無源元件占全部電子元器件及零部件的生產(chǎn)總成本的46.1%和9.1%，而在總安裝成本中卻分別占12.7%和55.1%，甚至某些片式元件的管理和安裝成本已經(jīng)超過其價格。近年來，隨著電子信息產(chǎn)品升級換代速度的加快，電子元件的進一步升級換代和集成化的問題日益為世界各國政府、產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界所關(guān)注。特別是由于低溫共燒陶瓷（LTCC）等技術(shù)的突破使無源集成技術(shù)進入了實用化和產(chǎn)業(yè)化階段，新一代無源元件和相關(guān)的集成技術(shù)成為倍受關(guān)注的技術(shù)制高點。
針對無源電子元件高端產(chǎn)品和無源集成的關(guān)鍵技術(shù)問題，十二五”期間，科技部啟動實施了“無源集成元器件關(guān)鍵技術(shù)的研究”國家科技支撐計劃項目，該項目依托國家新型電子元器件工程技術(shù)研究中心，緊跟行業(yè)前沿技術(shù)發(fā)展，分別對厚、薄膜集成技術(shù)進行研究，開展無源集成器件從材料制備—設(shè)計仿真—工藝技術(shù)—元器件可靠性分析的全流程無源集成核心關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。目前，開發(fā)出具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高性能LTCC介質(zhì)材料、功能薄膜材料等無源集成材料體系，掌握了功能薄膜高效沉積、高精度的精細加工、無源集成元器件設(shè)計仿真、基于低溫共燒陶瓷（LTCC）的無源集成工藝等關(guān)鍵技術(shù)，并制備出高精度薄膜傳感器、薄膜衰減器、射頻前端模塊等具有示范作用的典型無源集成元器件。實現(xiàn)了無源集成器件與模塊、薄膜電阻、基于LTCC技術(shù)的WiFi/藍牙模塊、NFC鐵氧體片等產(chǎn)品的研發(fā)制備與量化生產(chǎn)。
為推動我國材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，科技部制定了《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃》，將無源電子元件關(guān)鍵材料、聲表面波材料與器件技術(shù)、高性能電磁介質(zhì)材料等高端光電子與微電子材料作為發(fā)展重點，推動跨界技術(shù)整合，搶占先進電子材料技術(shù)的制高點。
2017-10-30 來源：中華人民共和國科學(xué)技術(shù)部
文章關(guān)鍵詞： 韋爾半導(dǎo)體 香港華清電子(集團)有限公司 無源集成元器件
針對無源電子元件高端產(chǎn)品和無源集成的關(guān)鍵技術(shù)問題，十二五”期間，科技部啟動實施了“無源集成元器件關(guān)鍵技術(shù)的研究”國家科技支撐計劃項目，該項目依托國家新型電子元器件工程技術(shù)研究中心，緊跟行業(yè)前沿技術(shù)發(fā)展，分別對厚、薄膜集成技術(shù)進行研究，開展無源集成器件從材料制備—設(shè)計仿真—工藝技術(shù)—元器件可靠性分析的全流程無源集成核心關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。目前，開發(fā)出具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高性能LTCC介質(zhì)材料、功能薄膜材料等無源集成材料體系，掌握了功能薄膜高效沉積、高精度的精細加工、無源集成元器件設(shè)計仿真、基于低溫共燒陶瓷（LTCC）的無源集成工藝等關(guān)鍵技術(shù)，并制備出高精度薄膜傳感器、薄膜衰減器、射頻前端模塊等具有示范作用的典型無源集成元器件。實現(xiàn)了無源集成器件與模塊、薄膜電阻、基于LTCC技術(shù)的WiFi/藍牙模塊、NFC鐵氧體片等產(chǎn)品的研發(fā)制備與量化生產(chǎn)。
為推動我國材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，科技部制定了《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃》，將無源電子元件關(guān)鍵材料、聲表面波材料與器件技術(shù)、高性能電磁介質(zhì)材料等高端光電子與微電子材料作為發(fā)展重點，推動跨界技術(shù)整合，搶占先進電子材料技術(shù)的制高點。
2017-10-30 來源：中華人民共和國科學(xué)技術(shù)部
文章關(guān)鍵詞： 韋爾半導(dǎo)體 香港華清電子(集團)有限公司 無源集成元器件
