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致中國半導(dǎo)體工作者的風(fēng)雨60年
“中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已經(jīng)進入了黃金時代?！边@是近幾年我們最常聽到的一句話。
中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展自新中國成立以來，積累了數(shù)代人的心血，值此國慶之際，讓我們回顧那60年的風(fēng)風(fēng)雨雨。
中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展可以追溯到解放初期的1953年，半導(dǎo)體已經(jīng)被列入第一次和第二次5年計劃的重點科技公關(guān)項目，這階段可以說是中國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的草創(chuàng)時期。此后由于國內(nèi)和國際形勢的劇烈變化，國家?guī)缀跬Ｖ沽藢Π雽?dǎo)體行業(yè)的投入?！霸訌椫浮卞X學(xué)森曾經(jīng)這樣感慨道：60年代，我們?nèi)ν度搿皟蓮椧恍恰?，我們得到很多?0年代我們沒有搞半導(dǎo)體，我們?yōu)榇耸ズ芏唷?br />
從無到有：草創(chuàng)時期
1956年，我國提出“向科學(xué)進軍”，根據(jù)國外發(fā)展電子器件的進程，提出了中國也要研究半導(dǎo)體科學(xué)，把半導(dǎo)體技術(shù)列為國家四大緊急措施之一。
從半導(dǎo)體材料開始，自力更生研究半導(dǎo)體器件。為了落實發(fā)展半導(dǎo)體規(guī)劃，中國科學(xué)院應(yīng)用物理所首先舉辦了半導(dǎo)體器件短期培訓(xùn)班。請回國的半導(dǎo)體專家黃昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導(dǎo)體理論、晶體管制造技術(shù)和半導(dǎo)體線路。
在五所大學(xué)――北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、吉林大學(xué)、廈門大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合在北京大學(xué)開辦了半導(dǎo)體物理專業(yè)，共同培養(yǎng)第一批半導(dǎo)體人才。培養(yǎng)出了第一批著名的教授：北京大學(xué)的黃昆、復(fù)旦大學(xué)的謝希德、吉林大學(xué)的高鼎三。1957年畢業(yè)的第一批研究生中有中國科學(xué)院院士王陽元（北京大學(xué)微電子所所長）、工程院院士許居衍（華晶集團中央研究院院長）和電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺（北方華虹設(shè)計公司董事長）。
與此同時，中國半導(dǎo)體材料從鍺（Ｇｅ）開始。通過提煉煤灰制備了鍺材料。
1959年，天津拉制出硅（Si）單晶。
為了加強半導(dǎo)體的研究，1960年，中科院在北京建立半導(dǎo)體研究所，同年在河北建立工業(yè)性專業(yè)化研究所――第十三所，即現(xiàn)在的河北半導(dǎo)體研究所。
到六十年代初，中國半導(dǎo)體器件開始在工廠生產(chǎn)。此時，國內(nèi)搞半導(dǎo)體器件的已有十幾個廠點。當(dāng)時北方以北京電子管廠為代表，生產(chǎn)了ＩＩ－６低頻合金管和ＩＩ４０１高頻合金擴散管；南方以上海元件五廠為代表。
1962年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs），為研究制備其他化合物半導(dǎo)體打下了基礎(chǔ)。
硅器件開始搞的是合金管。1962年，我國研究制成硅外延工藝，并開始研究采用照相制版，光刻工藝。
1963年，河北省半導(dǎo)體研究所制成硅平面型晶體管。
1964年，河北省半導(dǎo)體研究所研制出硅外延平面型晶體管。在平面管之前不久，也搞過錯和硅的臺面擴散管，但一旦平面管研制出來后，絕大部分器件采用平面結(jié)構(gòu)，因為它更適合于批量生產(chǎn)。
當(dāng)時接制的單晶棒的直徑很小，也不規(guī)則。一般將硅片切成方片的形狀，如7*7、10*10、15*15平方毫米。后來單晶直徑拉大些后，就開始采用不規(guī)則的圓片，但直徑一般在35-40ｍｍ之間。
1965年12月，河北半導(dǎo)體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導(dǎo)體管，并在國內(nèi)首先鑒定了DTL型（二極管――晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路。1966年底，在工廠范圍內(nèi)上海元件五廠鑒定了TTL電路產(chǎn)品。這些小規(guī)模雙極型數(shù)字集成電路主要以與非門為主，還有與非驅(qū)動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。標(biāo)志著中國已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。
在半導(dǎo)體器件批量生產(chǎn)之后，六十年代主要用來生產(chǎn)晶體管收音機，電子管收音機在體積上大為縮小，重量大為減輕。一般老百姓把晶體管收音機俗稱為“半導(dǎo)體”。它在六十年代成為普通居民所要購買的“四大件”之一。（其他三大件為縫紉機、自行車和手表）另一方面，新品開發(fā)主要研究方向是硅高頻大功率管，目的是要把部隊所用的采用電子管的“八一”電臺換裝為采用晶體管的“小八一”電臺，它曾是河北半導(dǎo)體所和北京電子管廠當(dāng)年的主攻任務(wù)。
除了收訊放大管之外，之后也開發(fā)了開關(guān)管。中國科學(xué)院在半導(dǎo)體所之外建立了一所實驗工廠，取名109廠。（后改建為微電子中心）它所生產(chǎn)的開關(guān)管，供中國科學(xué)院計算研究所研制成第二代計算機。隨后在北京有線電廠等工廠批量生產(chǎn)了DJS-121型鍺晶體管計算機，速度達到1萬次以上。后來還研制出速度更快的108機，以及速度達28萬次、容量更大的DJS-320型中型計算機，該機采用硅開關(guān)管。
總之，向科學(xué)進軍的號如下，中國的知識分子、技術(shù)人員在外界封鎖的環(huán)境下，在海外回國的一批半導(dǎo)體學(xué)者帶領(lǐng)下，憑藉知識和實驗室發(fā)展到實驗性工廠和生產(chǎn)性工廠，開始建立起自己的半導(dǎo)體行業(yè)。這期間蘇聯(lián)曾派過半導(dǎo)體專家來指導(dǎo)，但很快因中蘇關(guān)系惡化而撤走了。
砥礪前行：發(fā)展初期
1968年，組建國營東光電工廠（878廠）、上海無線電十九廠，至1970年建成投產(chǎn)，形成中國IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。
在發(fā)展雙極型電路之后，不久也開始研究MOS電路。
1968年，上海無線電十四廠首家制成PMOS（P型金屬－氧化物半導(dǎo)體）電路（MOSIC）。拉開了我國發(fā)展MOS電路的序幕，并在七十年代初，永川半導(dǎo)體研究所（現(xiàn)電子第24所）、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路。之后，又研制成CMOS電路。
到七十年代初期，永川半導(dǎo)體研究所，即24所，（它由石家莊13所十一室搬到四川水川擴大而建的）上無十四廠和北京878廠相繼研制成NMOS電路。之后，又研制成CMOS電路。
在七十年代初期，由于受國外IC迅速發(fā)展和國內(nèi)“電子中心論”的影響，加上當(dāng)時IC的價格偏高（一塊與非門電路不變價曾哀達500元，利潤較大，銷售利潤率有的廠高達40%以上），而貨源又很緊張，因而造成各地IC廠點大量涌現(xiàn)，曾經(jīng)形成過一股“IC熱”。
當(dāng)時，共有四十多家集成電路工廠建成，四機部所屬廠有749廠（永紅器材廠）、871（天光集成電路廠）、878（東光電工廠）、4433廠（風(fēng)光電工廠）和4435廠（韶光電工廠）等。各省市所建廠主要有：上海元件五廠、上無七廠、上無十四廠、上無十九廠、蘇州半導(dǎo)體廠、常州半導(dǎo)體廠、北京半導(dǎo)體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導(dǎo)體（一）廠、航天部西安691廠等等。
1972年，中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功。
為了提高工藝設(shè)備的技術(shù)水平，并了解國外IC發(fā)展的狀況，在1973年中日邦交恢復(fù)一周年之際，中國組織了由14人參加的電子工業(yè)考察團赴日本考察IC產(chǎn)業(yè)，參觀了日本當(dāng)時八大IC公司：日立、ＮＥＣ、東芝、三菱、富士通、三洋、沖電氣和夏普，以及不少設(shè)備制造廠。原先想與NEC談成全線引進，因政治和資金原因沒有成勻丟失了一次機遇。后來改為由七個單位從國外購買單位臺設(shè)備，期望建成七條工藝線。最后成線的只有北京878廠，航天部陜西驪山771所和貴州都勻4433廠。
此后，為了加速發(fā)展LSI，中國接連召開了三次全國性會議，第一次1974年在北京召開，第二次，1975年在上海召開；第三次，1977年在大三線貴州省召開。
1976年11月，中國科學(xué)院計算所研制成功1000萬次大型電子計算機，所使用的電路為中國科學(xué)院109廠（現(xiàn)中科院微電子中心）研制的ECL型（發(fā)射極耦合邏輯）電路。
這一階段，從研制小規(guī)模到大規(guī)模電路，在技術(shù)上中國都依靠自己的力量，只是從國外進口了一些水平較低的工藝設(shè)備，與國外差距逐漸加大。在這期間美國和日本已先后進入IC規(guī)模生產(chǎn)的階段。
1982年，江蘇無錫的江南無線電器材廠（742廠）IC生產(chǎn)線建成驗收投產(chǎn)，這是一條從日本東芝公司全面引進彩色和黑白電視機集成電路生產(chǎn)線，不僅擁有部封裝，而且有3英寸全新工藝設(shè)備的芯片制造線，不但引進了設(shè)備和凈化廠房及動力設(shè)備等“硬件”，而且還引進了制造工藝技術(shù)“軟件”。這是中國第一次從國外引進集成電路技術(shù)。
第一期742廠共投資2.7億元（6600萬美元），建設(shè)目標(biāo)是月投10000片3英寸硅片的生產(chǎn)能力，年產(chǎn)2648萬塊IC成品，產(chǎn)品為雙極型消費類線性電路，包括電視機電路和音響電路。到1984年達產(chǎn)，產(chǎn)量達到3000萬塊，成為中國技術(shù)先進、規(guī)模最大，具有工業(yè)化大生產(chǎn)的專業(yè)化工廠。
1983年，針對當(dāng)時多頭引進，重復(fù)布點的情況，國務(wù)院大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組提出“治散治亂”，集成電路要“建立南北兩個基地和一個點”的發(fā)展戰(zhàn)略，南方基地主要指上海、江蘇和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈陽，一個點指西安，主要為航天配套。
1988年，871廠紹興分廠，改名為華越微電子有限公司。
1988年9月，上無十四廠在技術(shù)引進項目，建了新廠房的基礎(chǔ)上，成立了中外合資公司――上海貝嶺微電子制造有限公司。
1988年，在上海元件五廠、上無七廠和上無十九廠聯(lián)合搞技術(shù)引進項目的基礎(chǔ)上，組建成中外合資公司――上海飛利浦半導(dǎo)體公司（現(xiàn)在的上海先進）。
1989年2月，機電部在無錫召開“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會，提出了“加快基地建設(shè)，形成規(guī)模生產(chǎn)，注重發(fā)展專用電路，加強科研和支持條件，振興集成電路產(chǎn)業(yè)”的發(fā)展戰(zhàn)略。
1989年8月8日，742廠和永川半導(dǎo)體研究所無錫分所合并成立了中國華晶電子集團公司。
第一次大投入：九零工程
1990年10月，國家計委和機電部在北京聯(lián)合召開了有關(guān)領(lǐng)導(dǎo)和專家參加的座談會，并向黨中央進行了匯報，決定實施九零工程。
1991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司――首鋼NEC電子有限公司。
1995年，電子部提出“九五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略：以市場為導(dǎo)向，以CAD為突破口，產(chǎn)學(xué)研用相結(jié)合，以我為主，開展國際合作，強化投資，加強重點工程和技術(shù)創(chuàng)新能力的建設(shè)，促進集成電路產(chǎn)業(yè)進入良性循環(huán)。
1995年10月，電子部和國家外專局在北京聯(lián)合召開國內(nèi)外專家座談會，獻計獻策，加速我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。11月，電子部向國務(wù)院做了專題匯報，確定實施九0九工程。
1998年1月，華晶與上華合作生產(chǎn)MOS圓片合約簽定，有效期四年，華晶芯片生產(chǎn)線開始承接上華公司來料加工業(yè)務(wù)。
1998年1月18日，“九0八” 主體工程華晶項目通過對外合同驗收，這條從朗訊科技公司引進的0.9微米的生產(chǎn)線已經(jīng)具備了月投6000片6英寸圓片的生產(chǎn)能力。
1998年2月，韶光與群立在長沙簽訂LSI合資項目，投資額達2.4億元，合資建設(shè)大規(guī)模集成電路（LSI）微封裝，將形成封裝、測試集成電路5200萬塊的生產(chǎn)能力。
1998年2月28日，我國第一條8英寸硅單晶拋光片生產(chǎn)線建成投產(chǎn)，這個項目是在北京有色金屬研究總院半導(dǎo)體材料國家工程研究中心進行的。
1998年3月16日，北京華虹集成電路設(shè)計有限責(zé)任公司與日本NEC株式會社在北京長城-飯店舉行北京華虹NEC集成電路設(shè)計公司合資合同簽字儀式，新成立的合資公司其設(shè)計能力為每年約200個集成電路品種，并為華虹NEC生產(chǎn)線每年提供8英寸硅片兩萬片的加工訂單。
1998年4月，集成電路“九0八”工程九個產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)中心項目驗收授牌，這九個設(shè)計中心為信息產(chǎn)業(yè)部電子第十五研究所、信息產(chǎn)業(yè)部電子第五下四研究所、上海集成電路設(shè)計公司、深圳先科設(shè)計中心、杭州東方設(shè)計中心、廣東專用電路設(shè)計中心、兵器第二一四研究所、北京機械工業(yè)自動化研究所和航天工業(yè)771研究所。這些設(shè)計中心是與華晶六英寸生產(chǎn)線項目配套建設(shè)的。
1998年6月，上海華虹NEC九0九二期工程啟動。
1998年6月12日，深港超大規(guī)模集成電路項目一期工程――后工序生產(chǎn)線及設(shè)計中心在深圳賽意法微電子有限公司正式投產(chǎn)，其集成電路封裝測試的年生產(chǎn)能力由原設(shè)計的3.18億塊提高到目前的7.3億塊，并將擴展的10億塊的水平。
1998年10月，華越集成電路引進的日本富士通設(shè)備和技術(shù)的生產(chǎn)線開始驗收試制投 片，-該生產(chǎn)線以雙極工藝為主、兼顧Bi-CMOS工藝、2微米技術(shù)水平、年投5英寸硅片15萬片、年產(chǎn)各類集成電路芯片1億只能力的前道工序生產(chǎn)線及動力配套系統(tǒng)。
1998年3月，由西安交通大學(xué)開元集團微電子科技有限公司自行設(shè)計開發(fā)的我國第一個-CMOS微型彩色攝像芯片開發(fā)成功，我國視覺芯片設(shè)計開發(fā)工作取得的一項可喜的成績。
1999年2月23日，上海華虹NEC電子有限公司建成試投片，工藝技術(shù)檔次從計劃中的0.5微米提升到了0.35微米，主導(dǎo)產(chǎn)品64M同步動態(tài)存儲器（S－DRAM）。這條生產(chǎn)線的建-成投產(chǎn)標(biāo)志著我國從此有了自己的深亞微米超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線。
通過“九零工程”中國建立了自己的6寸、8寸硅片和晶圓產(chǎn)線，初步實現(xiàn)半導(dǎo)體集成電路的自主化，對國防軍工的意義是重大的。
我們今天許多耳熟能詳?shù)腁股半導(dǎo)體公司，我們今天看到許多上市/借殼上市的軍工芯片公司，都是在“九零工程”的第一次大投入中開始建設(shè)的。
隨著“九零工程”開展，1995—2000年半導(dǎo)體集成電路芯片行業(yè)的“有效研發(fā)投入產(chǎn)值”提升了200%，2004年隨著“九零工程”項目全部完成，2000—2004年行業(yè)的“有效研發(fā)投入產(chǎn)值”再次提升了253%。
體現(xiàn)在同期上市公司業(yè)績收入：1995—2004年，上市公司整體收入半導(dǎo)體板塊增長了13.6倍，分區(qū)間看，在1995—2000年大投入時期，收入規(guī)模增長了6.31倍，2000—2004年，投入產(chǎn)能釋放后，收入規(guī)模增長了99.56%。
十年：中國的崛起
2004年之后，到2014年，中國半導(dǎo)體集成電路芯片行業(yè)的“有效研發(fā)投入”基本是“零增長”，體現(xiàn)在“有效研發(fā)投入產(chǎn)值”上，是快速下滑。而2004—2014年這十年時間，也正是中國半導(dǎo)體集成電路芯片進口快速提升的時期，芯片的進口超過石油，每年2200-2300億美金進口額，折合人民幣是1.5萬億。
但是在這十年中，成立了很多在如今赫赫有名的公司。
2000年
·4月，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司成立。
·6月，國務(wù)院18號文件《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》公布。
·7月，科技部依次批準(zhǔn)上海、西安、無錫、北京、成都、杭州、深圳共7個國家級IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)化基地。
·11月，上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司在上海浦東開工奠基。
2001年
·2月，直徑8英寸硅單晶拋光片國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程項目在北京有色金屬研究總院建成投產(chǎn)。
·3月，國務(wù)院第36次常務(wù)會議通過了《集成電路布圖設(shè)計保護條例》。
2002年
·9月，龍芯1號在中科院計算所誕生。
·11月，中國電子科技集團公司第四十六研究所率先研制成功直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶。
2003年
·3月，杭州士蘭微電子股份有限公司上市，成為國內(nèi)IC設(shè)計第一股。
·6月，臺積電（上海）有限公司落戶上海，并于2005年4月正式投產(chǎn)。
·8月，英特爾公司宣布成立英特爾（成都）有限公司，并于2005年12月正式投產(chǎn)。
2004年
·9月，中芯國際的中國大陸第一條12英寸線在北京投入生產(chǎn)。
2005年
·中星微電子在美國納斯達克上市，成為第一家在美國上市的中國IC設(shè)計公司。
2006年
·10月，無錫海力士意法半導(dǎo)體在無錫投產(chǎn)。
2007年
·3月，英特爾公司宣布在中國大連建廠。
·6月，成都成芯8英寸項目投產(chǎn)。
·12月，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司的12英寸生產(chǎn)線（Fab8）建成投產(chǎn)。
2008年
·《集成電路產(chǎn)業(yè)“十一五”專項規(guī)劃》重點建設(shè)北京、天津、上海、蘇州、寧波等國家集成電路產(chǎn)業(yè)園。
2009年
·6月，工業(yè)和信息化部發(fā)布《關(guān)于進一步加強軟件企業(yè)認(rèn)定和軟件產(chǎn)品登記備案工作的通知》工信廳軟［2009］115號。
2011年
·1月，展訊發(fā)布全球首款40納米低功耗商用TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片SC8800G。
·2月，國務(wù)院發(fā)布了被業(yè)界稱為“新18號文”的《進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)的若干政策》（國發(fā)（2011）4號）。
·9月，上海華虹與宏力簽署合并協(xié)議。
2012年
·3月，三星投資70億美元在西安建立芯片生產(chǎn)線，工藝技術(shù)水平為10納米、12英寸硅圓片。
·5月，財政部、國稅總局發(fā)布《關(guān)于進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展企業(yè)所得稅政策的通知》［財稅〔2012〕27號］。
·6月，中芯國際將聯(lián)合北京市相關(guān)機構(gòu)共同籌集資金，在北京建設(shè)40納米～28納米生產(chǎn)線。
2004—2014年的十年時間，中國半導(dǎo)體集成電路芯片產(chǎn)業(yè)幾乎是“零增長”的“有效研發(fā)投入”，不僅嚴(yán)重制約了產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，也嚴(yán)重制約了中國電子制造、通信行業(yè)的進一步發(fā)展。
這一切在2014年得到了改變。
第二次大投入
2014年9月24號，國家大基金成立是具有標(biāo)志性意義的，我們統(tǒng)計了2014—2016年三年以來，中央和各省市合計預(yù)期投入的金額規(guī)模超過4650億人民幣，而2016年中國國內(nèi)半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)值也才4300億，第二次大投入的力度遠(yuǎn)超過當(dāng)年的第一次大投入。
國家大基金成立后，2014—2016年，中國半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)開始大比例“有效研發(fā)投入”，由2014年的系數(shù)1.25，提升到5.63，提升了3.5倍，期間“有效研發(fā)投入產(chǎn)值”增長了1.26倍。已經(jīng)呈現(xiàn)明顯的“科技紅利”擴張趨勢。這一時期，中國國內(nèi)半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)值從3015億元提升到4335億元，增長了43.7%?？梢哉f，第二次大投入所初步取得的經(jīng)濟效益是有目共睹的。
同時，從國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金正式設(shè)立后，中國半導(dǎo)體行業(yè)的并購熱潮就被點燃。據(jù)不完全統(tǒng)計，各地已宣布的地方基金總規(guī)模已經(jīng)超過2000億元，成為我國集成電路生態(tài)系統(tǒng)中的重要支撐力量。
在2000年~2015年的16年里，中國半導(dǎo)體市場增速領(lǐng)跑全球，達到21.4%，其中全球半導(dǎo)體年均增速是3.6%，美國將近5%，歐洲和日本都較低，亞太較高13%。就市場份額而言，目前中國半導(dǎo)體市場份額從5%提升到50%，成為全球的核心市場。
致中國半導(dǎo)體工作者
又是一年國慶，從1953年至今，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過了六十多年的發(fā)展，在無數(shù)奮不顧身，勤勤懇懇的中國半導(dǎo)體工作者的努力下，中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)了零的突破，從開始一窮二白，到如今的奮力前行。我們不僅依靠自己的努力突破了國外的重重封鎖，建立了中國自己的半導(dǎo)體企業(yè)，也在不斷的發(fā)展中，逐漸獲得了世界的認(rèn)可。如今，雖然中國市場已經(jīng)成為最大的半導(dǎo)體市場，而中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也迎來了“黃金時代”。
風(fēng)雨60年，中國的半導(dǎo)體工作者，辛苦了！
2017-10-09 來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察
文章關(guān)鍵詞： 韋爾半導(dǎo)體 香港華清電子(集團)有限公司 中國半導(dǎo)體工作者
中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展自新中國成立以來，積累了數(shù)代人的心血，值此國慶之際，讓我們回顧那60年的風(fēng)風(fēng)雨雨。
中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展可以追溯到解放初期的1953年，半導(dǎo)體已經(jīng)被列入第一次和第二次5年計劃的重點科技公關(guān)項目，這階段可以說是中國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的草創(chuàng)時期。此后由于國內(nèi)和國際形勢的劇烈變化，國家?guī)缀跬Ｖ沽藢Π雽?dǎo)體行業(yè)的投入?！霸訌椫浮卞X學(xué)森曾經(jīng)這樣感慨道：60年代，我們?nèi)ν度搿皟蓮椧恍恰?，我們得到很多?0年代我們沒有搞半導(dǎo)體，我們?yōu)榇耸ズ芏唷?br />
從無到有：草創(chuàng)時期
1956年，我國提出“向科學(xué)進軍”，根據(jù)國外發(fā)展電子器件的進程，提出了中國也要研究半導(dǎo)體科學(xué)，把半導(dǎo)體技術(shù)列為國家四大緊急措施之一。
從半導(dǎo)體材料開始，自力更生研究半導(dǎo)體器件。為了落實發(fā)展半導(dǎo)體規(guī)劃，中國科學(xué)院應(yīng)用物理所首先舉辦了半導(dǎo)體器件短期培訓(xùn)班。請回國的半導(dǎo)體專家黃昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導(dǎo)體理論、晶體管制造技術(shù)和半導(dǎo)體線路。
物理學(xué)家上海復(fù)旦大學(xué)教授——謝希德
在五所大學(xué)――北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、吉林大學(xué)、廈門大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合在北京大學(xué)開辦了半導(dǎo)體物理專業(yè)，共同培養(yǎng)第一批半導(dǎo)體人才。培養(yǎng)出了第一批著名的教授：北京大學(xué)的黃昆、復(fù)旦大學(xué)的謝希德、吉林大學(xué)的高鼎三。1957年畢業(yè)的第一批研究生中有中國科學(xué)院院士王陽元（北京大學(xué)微電子所所長）、工程院院士許居衍（華晶集團中央研究院院長）和電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺（北方華虹設(shè)計公司董事長）。
與此同時，中國半導(dǎo)體材料從鍺（Ｇｅ）開始。通過提煉煤灰制備了鍺材料。
1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學(xué)院應(yīng)用物理研究所和二機部十局第十一所開發(fā)鍺晶體管。前者由王守武任半導(dǎo)體實驗室主任，后者由武爾楨負(fù)責(zé)。當(dāng)年，中國相繼研制出鍺點接觸二極管和三極管（即晶體管）。
1959年，天津拉制出硅（Si）單晶。
為了加強半導(dǎo)體的研究，1960年，中科院在北京建立半導(dǎo)體研究所，同年在河北建立工業(yè)性專業(yè)化研究所――第十三所，即現(xiàn)在的河北半導(dǎo)體研究所。
到六十年代初，中國半導(dǎo)體器件開始在工廠生產(chǎn)。此時，國內(nèi)搞半導(dǎo)體器件的已有十幾個廠點。當(dāng)時北方以北京電子管廠為代表，生產(chǎn)了ＩＩ－６低頻合金管和ＩＩ４０１高頻合金擴散管；南方以上海元件五廠為代表。
1962年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs），為研究制備其他化合物半導(dǎo)體打下了基礎(chǔ)。
硅器件開始搞的是合金管。1962年，我國研究制成硅外延工藝，并開始研究采用照相制版，光刻工藝。
1963年，河北省半導(dǎo)體研究所制成硅平面型晶體管。
1964年，河北省半導(dǎo)體研究所研制出硅外延平面型晶體管。在平面管之前不久，也搞過錯和硅的臺面擴散管，但一旦平面管研制出來后，絕大部分器件采用平面結(jié)構(gòu)，因為它更適合于批量生產(chǎn)。
當(dāng)時接制的單晶棒的直徑很小，也不規(guī)則。一般將硅片切成方片的形狀，如7*7、10*10、15*15平方毫米。后來單晶直徑拉大些后，就開始采用不規(guī)則的圓片，但直徑一般在35-40ｍｍ之間。
1965年12月，河北半導(dǎo)體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導(dǎo)體管，并在國內(nèi)首先鑒定了DTL型（二極管――晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路。1966年底，在工廠范圍內(nèi)上海元件五廠鑒定了TTL電路產(chǎn)品。這些小規(guī)模雙極型數(shù)字集成電路主要以與非門為主，還有與非驅(qū)動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。標(biāo)志著中國已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。
晶體管收音機
在半導(dǎo)體器件批量生產(chǎn)之后，六十年代主要用來生產(chǎn)晶體管收音機，電子管收音機在體積上大為縮小，重量大為減輕。一般老百姓把晶體管收音機俗稱為“半導(dǎo)體”。它在六十年代成為普通居民所要購買的“四大件”之一。（其他三大件為縫紉機、自行車和手表）另一方面，新品開發(fā)主要研究方向是硅高頻大功率管，目的是要把部隊所用的采用電子管的“八一”電臺換裝為采用晶體管的“小八一”電臺，它曾是河北半導(dǎo)體所和北京電子管廠當(dāng)年的主攻任務(wù)。
第一臺每秒鐘運算一百萬次的計算機
除了收訊放大管之外，之后也開發(fā)了開關(guān)管。中國科學(xué)院在半導(dǎo)體所之外建立了一所實驗工廠，取名109廠。（后改建為微電子中心）它所生產(chǎn)的開關(guān)管，供中國科學(xué)院計算研究所研制成第二代計算機。隨后在北京有線電廠等工廠批量生產(chǎn)了DJS-121型鍺晶體管計算機，速度達到1萬次以上。后來還研制出速度更快的108機，以及速度達28萬次、容量更大的DJS-320型中型計算機，該機采用硅開關(guān)管。
總之，向科學(xué)進軍的號如下，中國的知識分子、技術(shù)人員在外界封鎖的環(huán)境下，在海外回國的一批半導(dǎo)體學(xué)者帶領(lǐng)下，憑藉知識和實驗室發(fā)展到實驗性工廠和生產(chǎn)性工廠，開始建立起自己的半導(dǎo)體行業(yè)。這期間蘇聯(lián)曾派過半導(dǎo)體專家來指導(dǎo)，但很快因中蘇關(guān)系惡化而撤走了。
砥礪前行：發(fā)展初期
1968年，組建國營東光電工廠（878廠）、上海無線電十九廠，至1970年建成投產(chǎn)，形成中國IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。
毛澤東主席視察南京無線電廠
在發(fā)展雙極型電路之后，不久也開始研究MOS電路。
1968年，上海無線電十四廠首家制成PMOS（P型金屬－氧化物半導(dǎo)體）電路（MOSIC）。拉開了我國發(fā)展MOS電路的序幕，并在七十年代初，永川半導(dǎo)體研究所（現(xiàn)電子第24所）、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路。之后，又研制成CMOS電路。
到七十年代初期，永川半導(dǎo)體研究所，即24所，（它由石家莊13所十一室搬到四川水川擴大而建的）上無十四廠和北京878廠相繼研制成NMOS電路。之后，又研制成CMOS電路。
在七十年代初期，由于受國外IC迅速發(fā)展和國內(nèi)“電子中心論”的影響，加上當(dāng)時IC的價格偏高（一塊與非門電路不變價曾哀達500元，利潤較大，銷售利潤率有的廠高達40%以上），而貨源又很緊張，因而造成各地IC廠點大量涌現(xiàn)，曾經(jīng)形成過一股“IC熱”。
當(dāng)時，共有四十多家集成電路工廠建成，四機部所屬廠有749廠（永紅器材廠）、871（天光集成電路廠）、878（東光電工廠）、4433廠（風(fēng)光電工廠）和4435廠（韶光電工廠）等。各省市所建廠主要有：上海元件五廠、上無七廠、上無十四廠、上無十九廠、蘇州半導(dǎo)體廠、常州半導(dǎo)體廠、北京半導(dǎo)體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導(dǎo)體（一）廠、航天部西安691廠等等。
1972年，中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功。
為了提高工藝設(shè)備的技術(shù)水平，并了解國外IC發(fā)展的狀況，在1973年中日邦交恢復(fù)一周年之際，中國組織了由14人參加的電子工業(yè)考察團赴日本考察IC產(chǎn)業(yè)，參觀了日本當(dāng)時八大IC公司：日立、ＮＥＣ、東芝、三菱、富士通、三洋、沖電氣和夏普，以及不少設(shè)備制造廠。原先想與NEC談成全線引進，因政治和資金原因沒有成勻丟失了一次機遇。后來改為由七個單位從國外購買單位臺設(shè)備，期望建成七條工藝線。最后成線的只有北京878廠，航天部陜西驪山771所和貴州都勻4433廠。
此后，為了加速發(fā)展LSI，中國接連召開了三次全國性會議，第一次1974年在北京召開，第二次，1975年在上海召開；第三次，1977年在大三線貴州省召開。
1976年11月，中國科學(xué)院計算所研制成功1000萬次大型電子計算機，所使用的電路為中國科學(xué)院109廠（現(xiàn)中科院微電子中心）研制的ECL型（發(fā)射極耦合邏輯）電路。
這一階段，從研制小規(guī)模到大規(guī)模電路，在技術(shù)上中國都依靠自己的力量，只是從國外進口了一些水平較低的工藝設(shè)備，與國外差距逐漸加大。在這期間美國和日本已先后進入IC規(guī)模生產(chǎn)的階段。
1982年，江蘇無錫的江南無線電器材廠（742廠）IC生產(chǎn)線建成驗收投產(chǎn)，這是一條從日本東芝公司全面引進彩色和黑白電視機集成電路生產(chǎn)線，不僅擁有部封裝，而且有3英寸全新工藝設(shè)備的芯片制造線，不但引進了設(shè)備和凈化廠房及動力設(shè)備等“硬件”，而且還引進了制造工藝技術(shù)“軟件”。這是中國第一次從國外引進集成電路技術(shù)。
第一期742廠共投資2.7億元（6600萬美元），建設(shè)目標(biāo)是月投10000片3英寸硅片的生產(chǎn)能力，年產(chǎn)2648萬塊IC成品，產(chǎn)品為雙極型消費類線性電路，包括電視機電路和音響電路。到1984年達產(chǎn)，產(chǎn)量達到3000萬塊，成為中國技術(shù)先進、規(guī)模最大，具有工業(yè)化大生產(chǎn)的專業(yè)化工廠。
1982年10月，國務(wù)院為了加強全國計算機和大規(guī)模集成電路的領(lǐng)導(dǎo)，成立了以萬里副總理為組長的“電子計算機和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組”，制定了中國IC發(fā)展規(guī)劃，提出“六五”期間要對半導(dǎo)體工業(yè)進行技術(shù)改造。
1983年，針對當(dāng)時多頭引進，重復(fù)布點的情況，國務(wù)院大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組提出“治散治亂”，集成電路要“建立南北兩個基地和一個點”的發(fā)展戰(zhàn)略，南方基地主要指上海、江蘇和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈陽，一個點指西安，主要為航天配套。
1986年，電子部廈門集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會，提出“七五”期間我國集成電路技術(shù)“531”發(fā)展戰(zhàn)略，即普及推廣5微米技術(shù)，開發(fā)3微米技術(shù)，進行1微米技術(shù)科技攻關(guān)。
1988年，871廠紹興分廠，改名為華越微電子有限公司。
1988年9月，上無十四廠在技術(shù)引進項目，建了新廠房的基礎(chǔ)上，成立了中外合資公司――上海貝嶺微電子制造有限公司。
1988年，在上海元件五廠、上無七廠和上無十九廠聯(lián)合搞技術(shù)引進項目的基礎(chǔ)上，組建成中外合資公司――上海飛利浦半導(dǎo)體公司（現(xiàn)在的上海先進）。
1989年2月，機電部在無錫召開“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會，提出了“加快基地建設(shè)，形成規(guī)模生產(chǎn)，注重發(fā)展專用電路，加強科研和支持條件，振興集成電路產(chǎn)業(yè)”的發(fā)展戰(zhàn)略。
1989年8月8日，742廠和永川半導(dǎo)體研究所無錫分所合并成立了中國華晶電子集團公司。
第一次大投入：九零工程
1990年10月，國家計委和機電部在北京聯(lián)合召開了有關(guān)領(lǐng)導(dǎo)和專家參加的座談會，并向黨中央進行了匯報，決定實施九零工程。
首鋼NEC電子有限公司
1991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司――首鋼NEC電子有限公司。
1995年，電子部提出“九五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略：以市場為導(dǎo)向，以CAD為突破口，產(chǎn)學(xué)研用相結(jié)合，以我為主，開展國際合作，強化投資，加強重點工程和技術(shù)創(chuàng)新能力的建設(shè)，促進集成電路產(chǎn)業(yè)進入良性循環(huán)。
1995年10月，電子部和國家外專局在北京聯(lián)合召開國內(nèi)外專家座談會，獻計獻策，加速我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。11月，電子部向國務(wù)院做了專題匯報，確定實施九0九工程。
1998年1月，華晶與上華合作生產(chǎn)MOS圓片合約簽定，有效期四年，華晶芯片生產(chǎn)線開始承接上華公司來料加工業(yè)務(wù)。
1998年1月18日，“九0八” 主體工程華晶項目通過對外合同驗收，這條從朗訊科技公司引進的0.9微米的生產(chǎn)線已經(jīng)具備了月投6000片6英寸圓片的生產(chǎn)能力。
1998年2月，韶光與群立在長沙簽訂LSI合資項目，投資額達2.4億元，合資建設(shè)大規(guī)模集成電路（LSI）微封裝，將形成封裝、測試集成電路5200萬塊的生產(chǎn)能力。
1998年2月28日，我國第一條8英寸硅單晶拋光片生產(chǎn)線建成投產(chǎn)，這個項目是在北京有色金屬研究總院半導(dǎo)體材料國家工程研究中心進行的。
1998年3月16日，北京華虹集成電路設(shè)計有限責(zé)任公司與日本NEC株式會社在北京長城-飯店舉行北京華虹NEC集成電路設(shè)計公司合資合同簽字儀式，新成立的合資公司其設(shè)計能力為每年約200個集成電路品種，并為華虹NEC生產(chǎn)線每年提供8英寸硅片兩萬片的加工訂單。
1998年4月，集成電路“九0八”工程九個產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)中心項目驗收授牌，這九個設(shè)計中心為信息產(chǎn)業(yè)部電子第十五研究所、信息產(chǎn)業(yè)部電子第五下四研究所、上海集成電路設(shè)計公司、深圳先科設(shè)計中心、杭州東方設(shè)計中心、廣東專用電路設(shè)計中心、兵器第二一四研究所、北京機械工業(yè)自動化研究所和航天工業(yè)771研究所。這些設(shè)計中心是與華晶六英寸生產(chǎn)線項目配套建設(shè)的。
1998年6月，上海華虹NEC九0九二期工程啟動。
1998年6月12日，深港超大規(guī)模集成電路項目一期工程――后工序生產(chǎn)線及設(shè)計中心在深圳賽意法微電子有限公司正式投產(chǎn)，其集成電路封裝測試的年生產(chǎn)能力由原設(shè)計的3.18億塊提高到目前的7.3億塊，并將擴展的10億塊的水平。
1998年10月，華越集成電路引進的日本富士通設(shè)備和技術(shù)的生產(chǎn)線開始驗收試制投 片，-該生產(chǎn)線以雙極工藝為主、兼顧Bi-CMOS工藝、2微米技術(shù)水平、年投5英寸硅片15萬片、年產(chǎn)各類集成電路芯片1億只能力的前道工序生產(chǎn)線及動力配套系統(tǒng)。
1998年3月，由西安交通大學(xué)開元集團微電子科技有限公司自行設(shè)計開發(fā)的我國第一個-CMOS微型彩色攝像芯片開發(fā)成功，我國視覺芯片設(shè)計開發(fā)工作取得的一項可喜的成績。
1999年2月23日，上海華虹NEC電子有限公司建成試投片，工藝技術(shù)檔次從計劃中的0.5微米提升到了0.35微米，主導(dǎo)產(chǎn)品64M同步動態(tài)存儲器（S－DRAM）。這條生產(chǎn)線的建-成投產(chǎn)標(biāo)志著我國從此有了自己的深亞微米超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線。
通過“九零工程”中國建立了自己的6寸、8寸硅片和晶圓產(chǎn)線，初步實現(xiàn)半導(dǎo)體集成電路的自主化，對國防軍工的意義是重大的。
我們今天許多耳熟能詳?shù)腁股半導(dǎo)體公司，我們今天看到許多上市/借殼上市的軍工芯片公司，都是在“九零工程”的第一次大投入中開始建設(shè)的。
隨著“九零工程”開展，1995—2000年半導(dǎo)體集成電路芯片行業(yè)的“有效研發(fā)投入產(chǎn)值”提升了200%，2004年隨著“九零工程”項目全部完成，2000—2004年行業(yè)的“有效研發(fā)投入產(chǎn)值”再次提升了253%。
體現(xiàn)在同期上市公司業(yè)績收入：1995—2004年，上市公司整體收入半導(dǎo)體板塊增長了13.6倍，分區(qū)間看，在1995—2000年大投入時期，收入規(guī)模增長了6.31倍，2000—2004年，投入產(chǎn)能釋放后，收入規(guī)模增長了99.56%。
十年：中國的崛起
2004年之后，到2014年，中國半導(dǎo)體集成電路芯片行業(yè)的“有效研發(fā)投入”基本是“零增長”，體現(xiàn)在“有效研發(fā)投入產(chǎn)值”上，是快速下滑。而2004—2014年這十年時間，也正是中國半導(dǎo)體集成電路芯片進口快速提升的時期，芯片的進口超過石油，每年2200-2300億美金進口額，折合人民幣是1.5萬億。
但是在這十年中，成立了很多在如今赫赫有名的公司。
2000年
·4月，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司成立。
·6月，國務(wù)院18號文件《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》公布。
·7月，科技部依次批準(zhǔn)上海、西安、無錫、北京、成都、杭州、深圳共7個國家級IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)化基地。
·11月，上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司在上海浦東開工奠基。
2001年
·2月，直徑8英寸硅單晶拋光片國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程項目在北京有色金屬研究總院建成投產(chǎn)。
·3月，國務(wù)院第36次常務(wù)會議通過了《集成電路布圖設(shè)計保護條例》。
2002年
·9月，龍芯1號在中科院計算所誕生。
·11月，中國電子科技集團公司第四十六研究所率先研制成功直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶。
2003年
·3月，杭州士蘭微電子股份有限公司上市，成為國內(nèi)IC設(shè)計第一股。
·6月，臺積電（上海）有限公司落戶上海，并于2005年4月正式投產(chǎn)。
·8月，英特爾公司宣布成立英特爾（成都）有限公司，并于2005年12月正式投產(chǎn)。
2004年
·9月，中芯國際的中國大陸第一條12英寸線在北京投入生產(chǎn)。
2005年
·中星微電子在美國納斯達克上市，成為第一家在美國上市的中國IC設(shè)計公司。
2006年
·10月，無錫海力士意法半導(dǎo)體在無錫投產(chǎn)。
2007年
·3月，英特爾公司宣布在中國大連建廠。
·6月，成都成芯8英寸項目投產(chǎn)。
·12月，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司的12英寸生產(chǎn)線（Fab8）建成投產(chǎn)。
2008年
·《集成電路產(chǎn)業(yè)“十一五”專項規(guī)劃》重點建設(shè)北京、天津、上海、蘇州、寧波等國家集成電路產(chǎn)業(yè)園。
2009年
·6月，工業(yè)和信息化部發(fā)布《關(guān)于進一步加強軟件企業(yè)認(rèn)定和軟件產(chǎn)品登記備案工作的通知》工信廳軟［2009］115號。
2011年
·1月，展訊發(fā)布全球首款40納米低功耗商用TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片SC8800G。
·2月，國務(wù)院發(fā)布了被業(yè)界稱為“新18號文”的《進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)的若干政策》（國發(fā)（2011）4號）。
·9月，上海華虹與宏力簽署合并協(xié)議。
2012年
·3月，三星投資70億美元在西安建立芯片生產(chǎn)線，工藝技術(shù)水平為10納米、12英寸硅圓片。
·5月，財政部、國稅總局發(fā)布《關(guān)于進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展企業(yè)所得稅政策的通知》［財稅〔2012〕27號］。
·6月，中芯國際將聯(lián)合北京市相關(guān)機構(gòu)共同籌集資金，在北京建設(shè)40納米～28納米生產(chǎn)線。
2004—2014年的十年時間，中國半導(dǎo)體集成電路芯片產(chǎn)業(yè)幾乎是“零增長”的“有效研發(fā)投入”，不僅嚴(yán)重制約了產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，也嚴(yán)重制約了中國電子制造、通信行業(yè)的進一步發(fā)展。
這一切在2014年得到了改變。
第二次大投入
2014年9月24號，國家大基金成立是具有標(biāo)志性意義的，我們統(tǒng)計了2014—2016年三年以來，中央和各省市合計預(yù)期投入的金額規(guī)模超過4650億人民幣，而2016年中國國內(nèi)半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)值也才4300億，第二次大投入的力度遠(yuǎn)超過當(dāng)年的第一次大投入。
國家大基金成立后，2014—2016年，中國半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)開始大比例“有效研發(fā)投入”，由2014年的系數(shù)1.25，提升到5.63，提升了3.5倍，期間“有效研發(fā)投入產(chǎn)值”增長了1.26倍。已經(jīng)呈現(xiàn)明顯的“科技紅利”擴張趨勢。這一時期，中國國內(nèi)半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)值從3015億元提升到4335億元，增長了43.7%?？梢哉f，第二次大投入所初步取得的經(jīng)濟效益是有目共睹的。
同時，從國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金正式設(shè)立后，中國半導(dǎo)體行業(yè)的并購熱潮就被點燃。據(jù)不完全統(tǒng)計，各地已宣布的地方基金總規(guī)模已經(jīng)超過2000億元，成為我國集成電路生態(tài)系統(tǒng)中的重要支撐力量。
在2000年~2015年的16年里，中國半導(dǎo)體市場增速領(lǐng)跑全球，達到21.4%，其中全球半導(dǎo)體年均增速是3.6%，美國將近5%，歐洲和日本都較低，亞太較高13%。就市場份額而言，目前中國半導(dǎo)體市場份額從5%提升到50%，成為全球的核心市場。
致中國半導(dǎo)體工作者
又是一年國慶，從1953年至今，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過了六十多年的發(fā)展，在無數(shù)奮不顧身，勤勤懇懇的中國半導(dǎo)體工作者的努力下，中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)了零的突破，從開始一窮二白，到如今的奮力前行。我們不僅依靠自己的努力突破了國外的重重封鎖，建立了中國自己的半導(dǎo)體企業(yè)，也在不斷的發(fā)展中，逐漸獲得了世界的認(rèn)可。如今，雖然中國市場已經(jīng)成為最大的半導(dǎo)體市場，而中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也迎來了“黃金時代”。
風(fēng)雨60年，中國的半導(dǎo)體工作者，辛苦了！
2017-10-09 來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察
文章關(guān)鍵詞： 韋爾半導(dǎo)體 香港華清電子(集團)有限公司 中國半導(dǎo)體工作者
