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格羅方德推出 12nm 半導體制程，中國成都新廠也將于 2018 年底投產
晶圓代工大廠格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）于 22 日宣布推出全新 12nm Leading-Performance (12LP) FinFET 半導體制程計劃。格羅方德表示，此技術將可望超越格羅方德現(xiàn)行 14nm FinFET 技術的產品，提供密度及效能上提升，進而滿足運算密集型的應用，例如包括人工智能、虛擬現(xiàn)實、高端智能手機以及網絡基礎架構等的處理需求。
格羅方德指出，相較于現(xiàn)今市場上的 16nm 和 14nm FinFET 制程解決方案，全新 12LP 技術可提供高達 15% 的電路密度提升，以及超過 10% 的效能強化，這將賦予 12LP 技術與其他 12nm FinFET 技術全面競爭的優(yōu)勢，而此技術將運用于格羅方德位在美國紐約薩拉托加郡晶圓 8 廠的生產中。
而除了電晶體方面的效能提升，12LP 平臺還將包含專為車用電子設備和射頻及模擬應用 (RF/analog application) 所設計，并以市場為導向的新功能。而車載電子設備和射頻及模擬應用，預計將是產業(yè)中成長最快速的兩個領域。因此，12LP 平臺將會為市場帶來新的發(fā)展領域。
此外，格羅方德預計斥資總金額超過 100 億美元，在中國成都高新區(qū)西部園區(qū)的格羅方德 Fab11 晶圓代工廠，預計將在 10 月份舉行封頂作業(yè)。并且預計在 2018 年年底前，進行第一期的投產。據(jù)了解，目前已經有數(shù)家的中國廠商開始與格羅方德合作，開始規(guī)劃 22nm FD-SOI 制程的的產品設計工作。
按照規(guī)劃，累計投資達百億美元的格羅方德 Fab11 晶圓廠，誒計將分為兩期建設。第一期為主流 CMOS 制程 12 寸晶圓生產線，預計 2018 年年底投產。第二期為格羅方德最新的 22FDX，22nm FD-SOI 制程 12 寸晶圓生產線，預計 2019 年第 4 季投產。
據(jù)了解，格羅方德的 22FDX 制程采用 22nm FD-SOI (全耗盡型絕緣上覆矽) 電晶體架構,為無線的、使用電池供電的智能系統(tǒng)提供業(yè)界最佳的性能、功耗和面積組合。未來，格羅方德在成都高新區(qū)打造的全球首條 22nm FD-SOI 12 寸晶圓生產線，產品將廣泛應用于移動終端、物聯(lián)網、智能設備、汽車電子等領域。
2017-09-22 來源：Technews科技新報
文章關鍵詞： 韋爾半導體 香港華清電子(集團)有限公司 格羅方德 12nm 半導體制程
