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豪威集團(tuán)發(fā)布業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙 N 溝道 MOSFET
電源管理系統(tǒng)要實(shí)現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護(hù)，離不開(kāi)高性能的開(kāi)關(guān)器件。近日，豪威集團(tuán)全新推出兩款 MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙 N 溝道 MOSFET WNMD2196A 和 SGT 80V N 溝道 MOSFET WNM6008。
█ WNMD2196A 超低 Rds(ON)，專為手機(jī)鋰電池保護(hù)設(shè)計(jì)
近幾年，手機(jī)快充技術(shù)飛速發(fā)展，峰值充電功率屢創(chuàng)新高。在極大地緩解消費(fèi)者電量焦慮的同時(shí)，高功率充電下的安全問(wèn)題不容小覷。MOSFET 在電池包裝中起到安全保護(hù)開(kāi)關(guān)的作用，其本身對(duì)功率的損耗也必須足夠低才能滿足高效、低發(fā)熱的要求。
雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，WNMD2196A 具有業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品最低內(nèi)阻，Rds(ON) 低至 1m?，專為手機(jī)鋰電池電路保護(hù)設(shè)計(jì)。WNMD2196A 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)設(shè)計(jì)，提供卓越的 Rds(ON) 的同時(shí)實(shí)現(xiàn)低柵極電荷。載流子遷移速度快，閾值電壓低，開(kāi)關(guān)速率高。
WNMD2196A 兼顧性能與設(shè)計(jì)靈活性。該產(chǎn)品采用 CSP 封裝，更緊湊，方便電池應(yīng)用布板設(shè)計(jì)。同時(shí)，優(yōu)化的 SOA 特性，提高承受沖擊電流的能力；超低 Rds(ON)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率和更低的溫升，提升了產(chǎn)品的可靠性。
WNMD2196A 參數(shù)
█ WNM6008 80V 高功率 MOSFET 適用太陽(yáng)能、電池供電應(yīng)用
WNM6008——80V 高功率 MOSFET，采用最新一代 Shield Gate 技術(shù)，針對(duì)電信和服務(wù)器電源中使用的更高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，具備超低 FOM 值（開(kāi)關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)）。WNM6008 低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗，可實(shí)現(xiàn)更高效率、更優(yōu) EMI 性能。適用于同步整流應(yīng)用，優(yōu)化了反向恢復(fù)電荷從而實(shí)現(xiàn)更低的尖峰電壓，提供最高水平的功率密度和能效，繼而為電源提供更高的效率和更強(qiáng)的可靠性。
WNM6008 適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路?？捎行зx能太陽(yáng)能、電源和電池供電（例如電動(dòng)代步車(chē)）等應(yīng)用。該產(chǎn)品符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，采用 QFN5x6 標(biāo)準(zhǔn)緊湊封裝，在實(shí)現(xiàn)高功率密度的能量傳輸?shù)耐瑫r(shí)，方便對(duì)市場(chǎng)上同類產(chǎn)品進(jìn)行升級(jí)替換。
WNM6008 參數(shù)
█ 豪威集團(tuán)憑借多年技術(shù)沉淀，緊跟市場(chǎng)需求，在 MOSFET 工藝上具有導(dǎo)通阻抗低、封裝緊湊、類型齊全，能夠滿足多種定制化需求的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。未來(lái)，豪威集團(tuán)將持續(xù)發(fā)力電路保護(hù)領(lǐng)域，不斷升級(jí)創(chuàng)新，為數(shù)字電路應(yīng)用的新時(shí)代助力賦能。
來(lái)源：2022-06-28 豪威集團(tuán) OmniVision（ 微信號(hào)OmniVisionGroup）
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