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三星電子為鞏固半導體市場第一的位置正式量產(chǎn)“第4代V Nand閃存”
在全球Nand閃存市場上遙遙領先的三星電子正式開始批量生產(chǎn)“第4代256Gb 3bit V Nand閃存。這是三星為了鞏固市場第一的位置而采取的行動。
三星電子15日表示，從今年開始全體Nand閃存生產(chǎn)量中的一半以上將集中在第4代V Nand上面。Nand閃存作為存儲器半導體芯片的一種，它與Dram有著很大的不同，其具有即使電源被切斷也能存儲數(shù)據(jù)的特點。因此，其主要用于智能手機等移動設備和新一代大容量儲存裝置固態(tài)硬盤(SSD)等。三星電子計劃大幅擴大服務器、個人電腦等第4代V Nand應用產(chǎn)品群。
三星電子方面表示，“目前正在向1月有限供應給全球B2B (企業(yè)間的交易)顧客的第4代256Gb V Nand，消費者用SSD、存儲卡等方面進行全面擴展，生產(chǎn)比重也將大幅增加，以應對全球需求的增加?！?br />
目前“全球半導體市場的大勢是Nand閃存”，這一點毫無爭議。這是因為可穿戴式、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、自動駕駛汽車等被稱為第4次產(chǎn)業(yè)革命時代的主要關鍵詞的新技術都需要相當數(shù)量的半導體。全球半導體企業(yè)們爭先恐后地把新產(chǎn)品從Dram改成Nand閃存也是處于這個原因。
半導體業(yè)界有關人士表示，“從今年開始半導體業(yè)界將進入意味著超長期繁榮的‘超級周期(Super Cycle)’，存儲器半導體需求將大幅增加，Nand閃存的增長勢頭是獨一無二的。”據(jù)市場調(diào)查機構HIS Market透露，截止到2020年，Nand閃存市場將呈現(xiàn)急劇增長的趨勢，年均增長或?qū)⑦_到6.1%。三星電子通過批量生產(chǎn)第4代256Gb V Nand，有望進一步拉大與東芝、威騰電子等競爭企業(yè)之間的技術差距。
三星電子V Nand儲存信息的空間Cell采用的是垂直積累而非平面的方式。我們只要想想與在同樣的空間建造幾棟獨立住宅相比、建造一棟樓反而能提高儲藏效率，便容易理解。只是單數(shù)越高整體結(jié)構可能會被掀翻或最高層和最低層Cell之間出現(xiàn)特點差異等問題發(fā)生時，就必須以強大的技術為支撐。
三星電子強調(diào)稱，“使用了‘超高級集成Cell結(jié)構?工程’‘超高速動作電路設計’等技術，與現(xiàn)有的第3代產(chǎn)品相比，速度和生產(chǎn)效率、電力等全都提高了30%以上?！?br />
據(jù)悉，三星電子將在最快從本月末開始全面啟動的京畿平澤半導體工廠內(nèi)開始批量生產(chǎn)第4代256Gb V Nand。三星電子2年間投資約15.6萬億韓元的該工廠，占地面積為289萬平方米(約87.4萬坪)，相當于400個足球場加起來這么大。這是有史以來最大的單一半導體生產(chǎn)線規(guī)模。目前生產(chǎn)線正處于試運行階段。
三星電子存儲器事業(yè)部閃存開發(fā)室庚桂賢副社長表示，“為了將可以在一個半導體芯片上儲存1萬億個以上信息的‘1 Tera bit V Nand’時代提前，全部職員正專注于創(chuàng)新技術的開發(fā)?！?br />
2017-06-16 來源： 東亞日報
三星電子15日表示，從今年開始全體Nand閃存生產(chǎn)量中的一半以上將集中在第4代V Nand上面。Nand閃存作為存儲器半導體芯片的一種，它與Dram有著很大的不同，其具有即使電源被切斷也能存儲數(shù)據(jù)的特點。因此，其主要用于智能手機等移動設備和新一代大容量儲存裝置固態(tài)硬盤(SSD)等。三星電子計劃大幅擴大服務器、個人電腦等第4代V Nand應用產(chǎn)品群。
三星電子方面表示，“目前正在向1月有限供應給全球B2B (企業(yè)間的交易)顧客的第4代256Gb V Nand，消費者用SSD、存儲卡等方面進行全面擴展，生產(chǎn)比重也將大幅增加，以應對全球需求的增加?！?br />
目前“全球半導體市場的大勢是Nand閃存”，這一點毫無爭議。這是因為可穿戴式、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、自動駕駛汽車等被稱為第4次產(chǎn)業(yè)革命時代的主要關鍵詞的新技術都需要相當數(shù)量的半導體。全球半導體企業(yè)們爭先恐后地把新產(chǎn)品從Dram改成Nand閃存也是處于這個原因。
半導體業(yè)界有關人士表示，“從今年開始半導體業(yè)界將進入意味著超長期繁榮的‘超級周期(Super Cycle)’，存儲器半導體需求將大幅增加，Nand閃存的增長勢頭是獨一無二的。”據(jù)市場調(diào)查機構HIS Market透露，截止到2020年，Nand閃存市場將呈現(xiàn)急劇增長的趨勢，年均增長或?qū)⑦_到6.1%。三星電子通過批量生產(chǎn)第4代256Gb V Nand，有望進一步拉大與東芝、威騰電子等競爭企業(yè)之間的技術差距。
三星電子V Nand儲存信息的空間Cell采用的是垂直積累而非平面的方式。我們只要想想與在同樣的空間建造幾棟獨立住宅相比、建造一棟樓反而能提高儲藏效率，便容易理解。只是單數(shù)越高整體結(jié)構可能會被掀翻或最高層和最低層Cell之間出現(xiàn)特點差異等問題發(fā)生時，就必須以強大的技術為支撐。
三星電子強調(diào)稱，“使用了‘超高級集成Cell結(jié)構?工程’‘超高速動作電路設計’等技術，與現(xiàn)有的第3代產(chǎn)品相比，速度和生產(chǎn)效率、電力等全都提高了30%以上?！?br />
據(jù)悉，三星電子將在最快從本月末開始全面啟動的京畿平澤半導體工廠內(nèi)開始批量生產(chǎn)第4代256Gb V Nand。三星電子2年間投資約15.6萬億韓元的該工廠，占地面積為289萬平方米(約87.4萬坪)，相當于400個足球場加起來這么大。這是有史以來最大的單一半導體生產(chǎn)線規(guī)模。目前生產(chǎn)線正處于試運行階段。
三星電子存儲器事業(yè)部閃存開發(fā)室庚桂賢副社長表示，“為了將可以在一個半導體芯片上儲存1萬億個以上信息的‘1 Tera bit V Nand’時代提前，全部職員正專注于創(chuàng)新技術的開發(fā)?！?br />
2017-06-16 來源： 東亞日報
